《半导体物理基础》主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。
《半导体物理基础》对一些基本概念的讲述做到了深入浅出、便于自学，在结合具体的半导体材料讲述晶体缺陷方面做了新的尝试。《半导体物理基础》可以作为高等学校有关课程的教学参考书，也可供从事半导体技术工作的科技人员和工人阅读。

《半导体物理学》全面地论述了半导体物理的基础知识，内容包括半导体的晶格结构、半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级、载流子的统计分布，非平衡载流子及载流子的运动规律；讨论了p—n结、异质结、金属半导体接触、表面及MIS结构等半导体表面和界面问题；介绍了半导体的光、热、磁、压阻等物理现象；最后较全面地介绍了非晶态半导体的基本特性。