《CMOS模拟集成电路设计》(第2版)通过大量设计实例阐述设计原理，将理论与实践融为一体，同时还针对许多工业界人士的需求和问题进行了分析和解释，因而《CMOS模拟集成电路设计》(第2版)不仅可以用做大专院校相关专业高年级本科生和研究生的教材，也可以作为半导体的集成电路设计领域技术人员很有价值的参考书。

《半导体器件物理》（第3版）这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容，并做了更新和重新组织，反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展，它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。《半导体器件物理》（第3版）专为研究生教材和参考所需设计，新版本包括：以最新进展进行了全面更新；包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述；对内容进行了重新组织和安排；各章后面配备了习题；重新高质量地制作了书中的所有插图。

本书的主要内容包括：集成电路有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体管放大器，电流镜、有源负载及其电压和电流参考值，输出级，单端输出的运算放大器，集成电路的频率响应，反馈，反馈放大器的频率响应与稳定性，非线性模拟电路，集成电路中的噪声，全差分运算放大器。本书可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。

我们正处在有史以来最能改变人类生活的技术革命漩涡的中心。60年在人类历史上只是一瞬间。在最近的这60年中一个技术发现引发了百舸争流，随之产生了遍布全球的一系列变革，带给人类前所未有的冲击。这些变革在全球范围内，持续加速改变着人类生存方式的基本核心。更重要的是，这些变革还仅仅处在初期阶段!
约翰·D·雷克斯勒专著的《硅星球(微电子学与纳米技术革命)》介绍了微电子学和纳米技术的一般知识和工程基础，并探讨了这场新的科技革命正如何在各学科领域甚至整个人类文明中引起广泛的变革。本书使用浅显易懂的语言，浅明的数学知识，将众多微电子和纳米科学的神奇之处展现出来，包括半导体、晶体管、集成电路、光导纤维、手机、电子邮件、数字电视、纳米机器人等等，读者即使只有很少甚至没有技术背景，也可以顺利阅读。
《硅星球(微电子学与纳米技术革命)》在附录中还补充了基本的物理和电气工程知识，需要的读者可以进行查阅。

《清华版双语教学用书·模拟集成电路设计精粹》作者首先对MOST和BJT两种器件模型进行了分析和比较，然后以此为两条线索，分别介绍了相应的基本单元电路和各类放大器的详细分析，随后的章节分别研究噪声、失真、滤波器、ADC／DAC和振荡器电路，每一章都结合MOST和BJT两种类型电路进行分析比较。《清华版双语教学用书·模拟集成电路设计精粹》一方面侧重于基础知识，对模拟和混合信号集成电路中的许多重要概念以直观形象的语言进行了描述。另一方面又侧重介绍与现代集成电路工艺相关的最新电路的研究方向和热点。

本书全面阐述以运算放大器和模拟集成电路为主要器件构成的电路原理、设计方法和实际应用。电路设计以实际器件为背景，对实现中的许多实际问题尤为关注。全书共分13章，包含三大部分。第一部分（第1～4章），以运算放大器作为理想器件介绍基本原理和应用，包括运算放大器基础、具有电阻反馈的电路和有源滤器等。第二部分（第5～8章）涉及运算大器的诸多实际问题，如静态和动态限制、噪声及稳定性问题。第三部分（第9～13章）着得介绍面向各种应用的电路设计方法，包括非线性电路、信号发生器、电压基准和稳压电源、D-A和A-D转换器以及非线性放大器和锁相环等。
本书可作为通信类、控制类、遥测遥控、仪器仪表等相关专业本科高年级及研究生有关课程的教材或主要参考书，对从事实际工作的电子工程师们的很大参考价值。

《国外电子与通信教材系列·数字集成电路:电路、系统与设计(第2版)》由美国加州大学伯克利分校JanM.Rabaey教授撰写。全书共12章，分为三个部分：基本单元、电路设计和系统设计。《数字集成电路——电路、系统与设计》在对MOS器件和连线的特性做了简要介绍之后，深入分析了数字设计的核心——反相器，并逐步将这些知识延伸到组合逻辑电路、时序逻辑电路、控制器、运算电路以及存储器这些复杂数字电路与系统的设计中。为了反映数字集成电路设计进入深亚微米领域后正在发生的深刻变化，第二版增加了许多新的内容，并以0.25微米CMOS工艺的实际电路为例，讨论了深亚微米器件效应、电路最优化、互连线建模和优化、信号完整性、时序分析、时钟分配、高性能和低功耗设计、设计验证、芯片测试和可测性设计等主题，着重探讨了深亚微米数字集成电路设计面临的挑战和启示。

《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。

《半导体物理与器件》(第3版)是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理以及半导体器件物理等内容，共分为三部分，十五章。第一部分介绍基础物理，包括固体晶格结构、量子力学和固体物理；第二部分介绍半导体材料物理，主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象；第三部分介绍半导体器件物理，主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述了光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了小尺寸器件物理问题，具有一定的深度和广度。

《固体物理学》是在黄昆教授原著《固体物理学》的基础上改编而成的.原书概念准确、讲解透彻，在改写过程中力图保持原书的特点.对固体物理学中的一些基础部分：如晶体结构、晶格振动、固体能带论.半导体电子论和固体磁性等部分在内容上都做了必要的补充，内容更加丰富；《固体物理学》反映了固体物理学领域的新进展，增加了超导物理、非晶态物理、表面物理、固体中的元激发和低维系统物理等固体物理新兴领域中的基本概念。
《固体物理学》总结了黄昆教授和韩汝琦?授长期的教学经验，《固体物理学》可作为高等学校固体物理课程的教材，也可供有关专业的科技人员参考。